模塊工作狀態(tài)和工作參數(shù)一目了然，通過(guò)RS485接口，在系統(tǒng)主監(jiān)控工作時(shí)，模塊接收主監(jiān)控發(fā)出的工作參數(shù)，無(wú)主監(jiān)控器時(shí)，可以在模塊面板上方便的設(shè)置模塊工作參數(shù)。

軟件校準(zhǔn)技術(shù)：傳統(tǒng)模塊參數(shù)整定都采用電位器整定，但存在固有缺陷，如電位器漂移問(wèn)題以及現(xiàn)場(chǎng)調(diào)整不便等問(wèn)題；我公司生產(chǎn)的STD10A230X模塊采用軟件校準(zhǔn)技術(shù)，模塊內(nèi)部沒(méi)有一個(gè)電位器，通過(guò)按鍵和LCD顯示可以校準(zhǔn)模塊輸出電壓、輸出限流、電壓測(cè)量、電流測(cè)量，模塊參數(shù)整定方便快捷。

自主均流技術(shù)：模塊采用自主均流技術(shù)，模塊間均流偏差小于3%；

ZVS軟開(kāi)關(guān)技術(shù)：為了使開(kāi)關(guān)電源能夠在高頻下高效率地運(yùn)行，我公司不斷研究開(kāi)發(fā)高頻軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，已開(kāi)發(fā)成功ZVS邊緣諧振技術(shù)，使開(kāi)關(guān)過(guò)程損耗大為降低，從而進(jìn)一步減小體積、減輕重量、極大提高模塊性能。

ZVS軟開(kāi)關(guān)優(yōu)點(diǎn)

開(kāi)關(guān)損耗小

可實(shí)現(xiàn)高頻化（極限頻率可做到1-2MHz）、開(kāi)關(guān)過(guò)程在平滑狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)

恒頻運(yùn)行，諧波成份小

無(wú)吸收電路

電流、電壓應(yīng)力小

1．2   ZVS軟開(kāi)關(guān)基本原理

功率MOSFET損耗由三部分組成：開(kāi)通損耗、關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗，硬開(kāi)關(guān)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流同時(shí)變化，即存在高壓大電流的狀態(tài)，此時(shí)損耗很大，一般需要加吸收電路減小開(kāi)關(guān)損耗，另外在關(guān)斷過(guò)程中，Vds會(huì)出現(xiàn)過(guò)沖，對(duì)功率管有較大的損害。

ZVS軟開(kāi)關(guān)開(kāi)關(guān)過(guò)程中開(kāi)通時(shí)Vds降到0V時(shí)電流上升，關(guān)斷時(shí)電流降到0A時(shí)Vds上升，因而理論上無(wú)開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)際中Vds和電流變化有一定的重疊，但開(kāi)關(guān)損耗和硬開(kāi)關(guān)相比較大大降低。

ZVS軟開(kāi)關(guān)的電壓和電流的變化平滑，VDS無(wú)過(guò)沖，因而輸出諧波成份小、電磁干擾小。