l 標(biāo)題：STD20A230XCB，STD20A115XCB電源模塊

l 電源模塊LCD漢字顯示，模塊工作狀態(tài)和工作參數(shù)一目了然，在系統(tǒng)主監(jiān)控工作時(shí)，模塊接收主監(jiān)控發(fā)出的工作參數(shù)，無(wú)主監(jiān)控器時(shí)，可以在模塊面板上方便的設(shè)置模塊工作參數(shù)，模塊可脫離主監(jiān)控器工作。

l RD系列整流模塊可充當(dāng)便攜式充電機(jī)使用,整流模塊本身可設(shè)定均充電壓,均充時(shí)間,轉(zhuǎn)換電流,轉(zhuǎn)換時(shí)間,浮充電壓,浮充時(shí)間等參數(shù),設(shè)置完成后充電模塊可獨(dú)立完成對(duì)蓄電池組的充電過(guò)程(無(wú)需監(jiān)控),并且在充電過(guò)程中能根據(jù)充電電流值大小自動(dòng)完成均浮充狀態(tài)的轉(zhuǎn)換,從而保證了電池組充電時(shí)的安全和快捷.多充電模塊在無(wú)監(jiān)控系統(tǒng)并機(jī)運(yùn)行時(shí),只需在其中一個(gè)模塊上設(shè)置運(yùn)行參數(shù),其它充電模塊無(wú)需單獨(dú)設(shè)置即可按照該模塊的運(yùn)行參數(shù)同步運(yùn)行,使用方便.

l 軟件校準(zhǔn)技術(shù)：傳統(tǒng)模塊參數(shù)整定都采用電位器整定，但存在固有缺陷，如電位器漂移問(wèn)題以及現(xiàn)場(chǎng)調(diào)整不便等問(wèn)題；我公司生產(chǎn)的STD10(20)A230(115)XCB模塊采用軟件校準(zhǔn)技術(shù)，模塊內(nèi)部沒(méi)有一個(gè)電位器，通過(guò)按鍵和LCD顯示可以校準(zhǔn)模塊輸出電壓、輸出限流、電壓測(cè)量、電流測(cè)量；模塊參數(shù)調(diào)整方便快捷。

l 自主均流技術(shù)：模塊采用自主均流技術(shù)，模塊間電流偏差小于3%；

l ZVS軟開關(guān)技術(shù)：為了使開關(guān)電源能夠在高頻下高效率地運(yùn)行，我公司不斷研究開發(fā)高頻軟開關(guān)技術(shù)，已開發(fā)成功ZVS邊緣諧振技術(shù)，使開關(guān)過(guò)程損耗大為降低，從而進(jìn)一步減小體積、減輕重量、極大提高模塊性能。

1.1 ZVS軟開關(guān)優(yōu)點(diǎn)

2 開關(guān)損耗小

2 可實(shí)現(xiàn)高頻化（極限頻率可做到1-2MHz）、開關(guān)過(guò)程在平滑狀態(tài)下實(shí)現(xiàn)

2 恒頻運(yùn)行，諧波成份小

2 無(wú)吸收電路

2 電流、電壓應(yīng)力小

1.2 ZVS軟開關(guān)基本原理

功率MOSFET損耗由三部分組成：開通損耗、關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗組成，硬開關(guān)在開關(guān)過(guò)程中電壓和電流同時(shí)變化，即存在高壓大電流的狀態(tài)，此時(shí)損耗很大，一般需要加吸收電路減小開關(guān)損耗，同時(shí)在關(guān)斷過(guò)程中，VDS會(huì)出現(xiàn)過(guò)沖，對(duì)功率管有較大的損害。